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極不均勻電場(chǎng)的擊穿電壓的特點(diǎn)?
2025-10-23

極不均勻電場(chǎng)的擊穿:極不均勻場(chǎng)擊穿電壓的特點(diǎn):電場(chǎng)不均勻程度對(duì)擊穿電壓的影響減弱(由于電場(chǎng)已經(jīng)極不均勻),極間距離對(duì)擊穿電壓的影響增大。這個(gè)結(jié)果有很大意義,可以選擇電場(chǎng)極不均勻的情況,棒-板和棒-棒作為典型電極結(jié)構(gòu)(或尖-板和尖-尖電極結(jié)構(gòu)...

  • 2017-11-09

    Xl.絕緣耐電壓強(qiáng)度、介電強(qiáng)度、介電擊穿電壓測(cè)試的意義以及涉及的標(biāo)準(zhǔn)X1.1介紹Xl.1.1簡(jiǎn)要回顧了擊穿的三種假定機(jī)制,分別是:(1)放電或電暈機(jī)制,(2)熱機(jī)制,以及(3)固有機(jī)制,討論了在原理上對(duì)實(shí)際電介質(zhì)產(chǎn)生影響的因素,并對(duì)數(shù)據(jù)的解...

  • 2017-11-09

    用于不同絕緣材料的絕緣強(qiáng)度、介電強(qiáng)度、擊穿電壓測(cè)試的典型電極匯總:1.裝置1.1電壓源—由變化正弦低壓電源通過(guò)升壓變壓器提供測(cè)試電壓。作為電壓源的變壓器及相關(guān)的控制應(yīng)具有以下功能:1.1.1電壓峰值與電壓有效值的比率應(yīng)等于(1.34到1.4...

  • 2017-11-09

    型號(hào):ZJD-B介電常數(shù)介質(zhì)損耗及ZJD-C介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)量介電常數(shù)、電容率、介質(zhì)損耗特性的影響因素有哪些?X1.電容率和損耗特征的影響因素X1.1頻率X1.1.1絕緣材料能在整個(gè)電磁波頻譜上使用,這些頻譜包括從直流電到至少3×1010...

  • 2017-11-09

    液晶顯示:ZST-121觸摸屏控制:ATI-212測(cè)量絕緣電阻、體積電阻率、表面電阻率時(shí)的影響因素有哪些?X1.絕緣電阻或電導(dǎo)測(cè)量的影響因素X1.1材料的固有變化——由于在類(lèi)似試驗(yàn)條件下的某個(gè)給定樣本的電阻變化,以及相同材料的不同樣本之間的...

  • 2017-11-09

    ZST-121體積表面電阻率測(cè)試儀不規(guī)則材料電阻率的計(jì)算公式大全另有升級(jí)款觸摸屏體積和表面直讀電阻率的測(cè)試儀器設(shè)備基本參數(shù):ZST-1211、電阻測(cè)量范圍:0.01×104Ω~1×1018Ω。2、電流測(cè)量范圍為:2×10-4A~1×10-1...

  • 2017-11-06

    表面電阻率測(cè)試儀可用于測(cè)量各種織物、地毯、薄膜以及其他絕緣材料的表面比電阻(表面電阻率),表面比電阻的大小可間接反映試驗(yàn)材料表面靜電泄漏時(shí)間的長(zhǎng)短,從而反映試驗(yàn)材料的帶靜電性能。采用三電極法對(duì)試樣進(jìn)行測(cè)試,其試驗(yàn)裝置主要有平板式電極裝置和高...

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